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消息称三星 1、2 代 3nm 工艺良率仅 60%、20%
2024-11-08 09:40:33
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IT之家

  原标题:消息称三星1、2代3nm工艺良率仅60%、20%,年内恐大面积更换半导体高管


  IT之家11月7日消息,韩媒《时事周刊e》(Sisa Journal e)当地时间今日报道称,三星电子第1、2代3nm工艺(IT之家注:即SF3E-3GAE与SF3-3GAP)目前良率分别为60%和20%左右。


  这一水平未达到高通、英伟达等主要潜在客户提出的70%要求,导致三星无法在最先进制程上与台积电争夺订单,进而影响了三星尖端逻辑工艺投资的收益能力。


  韩媒表示,作为一家某种意义上算是IDM的企业,三星DS部的三大业务部存储器、系统LSI、Foundry实际上环环相扣:


  系统LSI设计的自家Exynos处理器如能由Foundry顺利制造,则对外界证明了Foundry的技术水平,这会吸引外部客户选择三星逻辑代工+HBM+先进封装“交钥匙”方案,存储器业务部的先进HBM内存自然不愁销路。


  而三星电子目前未能实现这一良性循环,导致半导体业务整体处于危机状态。


  

  ▲三星水原总部


  韩媒认为三星电子DS部将在集团年度管理层调整中经历高管大洗牌,三大业务部的负责人均可能被更换。同时这一调整预计于本月内进行,早于常例的12月初。


  三星电子今年5月出人意料地在年中就更换了DS部总负责人,由全永贤接替庆桂显。


责任编辑:高冉

三星

1、2代3nm

工艺良率

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